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翔鸥贸易为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的R1EV58064BDANBI#B2 型号，现有大量现货库存。R1EV58064BDANBI#B2的封装/规格参数为28-DIP（0.600"，15.24mm）；同时翔鸥贸易为您提供Renesas Electronics America Inc品牌R1EV58064BDANBI#B2型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有R1EV58064BDANBI#B2详细使用方法及教程。
| R1EV58064BDANBI#B2 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | R1EV58064BDANBI#B2 |
| 描述 | IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 3149 |
| 系列 | R1EV58064BxxN |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 技术 | EEPROM |
| 存储容量 | 64Kb（8K x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ms |
| 访问时间 | 100 ns |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 5.5V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 28-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商器件封装 | 28-DIP |
