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G2R120MT33J

现货

翔鸥贸易为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G2R120MT33J 型号,现有大量现货库存。G2R120MT33J的封装/规格参数为TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA;同时翔鸥贸易为您提供GeneSiC Semiconductor品牌G2R120MT33J型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有G2R120MT33J详细使用方法及教程。

制造商:GeneSiC Semiconductor
描述:SIC MOSFET N-CH TO263-7
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
库存:4268
规格书:
G2R120MT33J 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 G2R120MT33J
描述 SIC MOSFET N-CH TO263-7
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 4268
系列 G2R™
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 156 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 145 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3706 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263-7
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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