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GF1G-6493HE3_A/H

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翔鸥贸易为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的GF1G-6493HE3_A/H 型号,现有大量现货库存。GF1G-6493HE3_A/H的封装/规格参数为DO-214BA;同时翔鸥贸易为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division品牌GF1G-6493HE3_A/H型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GF1G-6493HE3_A/H详细使用方法及教程。

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
描述:DIODE GENERAL PUROSE
封装/外壳:DO-214BA
库存:1602
规格书:
GF1G-6493HE3_A/H 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 GF1G-6493HE3_A/H
描述 DIODE GENERAL PUROSE
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 1602
系列 Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 400 V
电流 - 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 1 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容 15pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-214BA
供应商器件封装 DO-214BA(GF1)
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
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