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BZD27B3V9P-HM3-18

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翔鸥贸易为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZD27B3V9P-HM3-18 型号,现有大量现货库存。BZD27B3V9P-HM3-18的封装/规格参数为DO-219AB;同时翔鸥贸易为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division品牌BZD27B3V9P-HM3-18型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BZD27B3V9P-HM3-18详细使用方法及教程。

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
描述:DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
封装/外壳:DO-219AB
库存:4440
规格书:
BZD27B3V9P-HM3-18 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BZD27B3V9P-HM3-18
描述 DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 4440
系列 Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9 V
容差 ±2%
功率 - 最大值 800 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 8 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.2 V @ 200 mA
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-219AB
供应商器件封装 DO-219AB(SMF)
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