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| SI1025X-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SI1025X-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 5282 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SC-89（SOT-563F） |
