24小时客户服务: 400-900-9110
24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
| EPC2107 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | EPC2107 |
| 描述 | GANFET 3 N-CH 100V 9BGA |
| 制造商 | EPC |
| 库存 | 2400 |
| 系列 | eGaN® |
| FET 类型 | 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A，500mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 16pF @ 50V，7pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 9-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 9-BGA（1.35x1.35） |
