24小时客户服务: 400-900-9110
24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
| SIZ322DT-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SIZ322DT-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 5785 |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.35 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.1nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 950pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值 | 16.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
