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SIZF906DT-T1-GE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIZF906DT-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SIZF906DT-T1-GE3的封装/规格参数为8-PowerWDFN;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIZF906DT-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIZF906DT-T1-GE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
封装/外壳:8-PowerWDFN
库存:6760
规格书:
SIZF906DT-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIZF906DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
库存 6760
系列 TrenchFET® Gen IV
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.8 毫欧 @ 15A,10V,1.17 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 4.5V,92nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2000pF @ 15V,8200pF @ 15V
功率 - 最大值 38W(Tc),83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN
供应商器件封装 8-PowerPair®(6x5)
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