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| HS8K1TB 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | HS8K1TB |
| 描述 | 30V NCH+NCH POWER MOSFET |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 库存 | 6098 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），11A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.6mOhm @ 10A，10V，11.8mOhm @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 10V，7.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 348pF @ 15V，429pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | HSML3030L10 |
