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翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIZ998BDT-T1-GE3 型号，现有大量现货库存。SIZ998BDT-T1-GE3的封装/规格参数为8-PowerWDFN；同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIZ998BDT-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIZ998BDT-T1-GE3详细使用方法及教程。
| SIZ998BDT-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SIZ998BDT-T1-GE3 |
| 描述 | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 8619 |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V，46.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790pF @ 15V，2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（6x5） |
