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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFHM8363TRPBF 型号，现有大量现货库存。IRFHM8363TRPBF的封装/规格参数为8-PowerVDFN；同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IRFHM8363TRPBF型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFHM8363TRPBF详细使用方法及教程。
| IRFHM8363TRPBF 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IRFHM8363TRPBF |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 4348 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1165pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 |
