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| EPC2105 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | EPC2105 |
| 描述 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| 制造商 | EPC |
| 库存 | 8396 |
| 系列 | eGaN® |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A，38A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.5nC @ 5V，10nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300pF @ 40V，1100pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
