24小时客户服务: 400-900-9110
24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
| VT6K1T2CR 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VT6K1T2CR |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 库存 | 6125 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 120mW |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | VMT6 |
