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| SIZ328DT-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SIZ328DT-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 1801 |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 325pF @ 10V，600pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.9W（Ta），15W（Tc），3.6W（Ta），16.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
