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| TPS1120DR 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPS1120DR |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 库存 | 7055 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 15V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.17A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 840mW |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
