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| EPC2100 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | EPC2100 |
| 描述 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| 制造商 | EPC |
| 库存 | 1963 |
| 系列 | eGaN® |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 475pF @ 15V，1960pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
