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| DMN2019UTS-13 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DMN2019UTS-13 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 9938 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18.5 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 780mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
