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SQJ500AEP-T1_GE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SQJ500AEP-T1_GE3 型号,现有大量现货库存。SQJ500AEP-T1_GE3的封装/规格参数为PowerPAK® SO-8 双;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SQJ500AEP-T1_GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SQJ500AEP-T1_GE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
封装/外壳:PowerPAK® SO-8 双
库存:7195
规格书:
SQJ500AEP-T1_GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SQJ500AEP-T1_GE3
描述 MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
制造商 Vishay Siliconix
库存 7195
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 -
漏源电压(Vdss) 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 27 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1850pF @ 20V
功率 - 最大值 48W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
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