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| SQUN702E-T1_GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SQUN702E-T1_GE3 |
| 描述 | MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 9187 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET 类型 | N 和 P 沟道，共漏 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V，200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc），20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，60 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA，3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 20V，14nC @ 20V，30.2nC @ 100V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1474pF @ 20V，1450pF @ 20V，1302pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 48W（Tc），60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
