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MSCSM120HM31CTBL2NG

现货

翔鸥贸易为您提供Microchip Technology设计生产的MSCSM120HM31CTBL2NG 型号,现有大量现货库存。MSCSM120HM31CTBL2NG的封装/规格参数为模块;同时翔鸥贸易为您提供Microchip Technology品牌MSCSM120HM31CTBL2NG型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有MSCSM120HM31CTBL2NG详细使用方法及教程。

制造商:Microchip Technology
描述:PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
封装/外壳:模块
库存:5907
规格书:
MSCSM120HM31CTBL2NG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 MSCSM120HM31CTBL2NG
描述 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
制造商 Microchip Technology
库存 5907
系列 -
FET 类型 4 N 沟道(全桥)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 79A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 31 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 232nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3020pF @ 1000V
功率 - 最大值 310W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 -
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