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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6N813R,LF 型号，现有大量现货库存。SSM6N813R,LF的封装/规格参数为6-SMD，扁平引线；同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌SSM6N813R,LF型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6N813R,LF详细使用方法及教程。
| SSM6N813R,LF 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SSM6N813R,LF |
| 描述 | SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 7759 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 242pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP-F |
