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DMT10H032LDV-7

现货

翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H032LDV-7 型号,现有大量现货库存。DMT10H032LDV-7的封装/规格参数为8-PowerVDFN;同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMT10H032LDV-7型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMT10H032LDV-7详细使用方法及教程。

制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
封装/外壳:8-PowerVDFN
库存:3638
规格书:
DMT10H032LDV-7 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DMT10H032LDV-7
描述 MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
制造商 Diodes Incorporated
库存 3638
系列 -
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 36 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 683pF @ 50V
功率 - 最大值 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerDI3333-8(UXC 类)
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