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| DMT6018LDR-7 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DMT6018LDR-7 |
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 6682 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 869pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 1.9W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | V-DFN3030-8 |
