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DMHT10H032LFJ-13

现货

翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMHT10H032LFJ-13 型号,现有大量现货库存。DMHT10H032LFJ-13的封装/规格参数为12-PowerVDFN;同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMHT10H032LFJ-13型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMHT10H032LFJ-13详细使用方法及教程。

制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045
封装/外壳:12-PowerVDFN
库存:3012
规格书:
DMHT10H032LFJ-13 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DMHT10H032LFJ-13
描述 MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045
制造商 Diodes Incorporated
库存 3012
系列 -
FET 类型 4 N 沟道(半桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 33 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 683pF @ 50V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 12-PowerVDFN
供应商器件封装 V-DFN5045-12(C 类)
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