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| FDD3510H 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDD3510H |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252 |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 7484 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 类型 | N 和 P 沟道，共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A，2.8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商器件封装 | TO-252（DPAK） |
