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翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM200N03DPQ33 RGG 型号，现有大量现货库存。TSM200N03DPQ33 RGG的封装/规格参数为8-PowerWDFN；同时翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation品牌TSM200N03DPQ33 RGG型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM200N03DPQ33 RGG详细使用方法及教程。
| TSM200N03DPQ33 RGG 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TSM200N03DPQ33 RGG |
| 描述 | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN |
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 库存 | 2217 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 345pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 20W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（3x3） |
