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| NTMFD1D4N02P1E 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NTMFD1D4N02P1E |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 8PQFN |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 1695 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA，2V @ 800µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1180pF @ 13V，3603pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 960mW（Ta），1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
