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ZXMC3A16DN8QTA

现货

翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMC3A16DN8QTA 型号,现有大量现货库存。ZXMC3A16DN8QTA的封装/规格参数为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌ZXMC3A16DN8QTA型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有ZXMC3A16DN8QTA详细使用方法及教程。

制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 0
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存:4784
规格书:
ZXMC3A16DN8QTA 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 ZXMC3A16DN8QTA
描述 MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 0
制造商 Diodes Incorporated
库存 4784
系列 Automotive, AEC-Q101
FET 类型 N 和 P 沟道互补型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.4A(Ta),5.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 9A,10V,48 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,24.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 796pF @ 25V,970pF @ 15V
功率 - 最大值 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
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