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| GE12160CEA3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | GE12160CEA3 |
| 描述 | 1200V 1425A SiC Half-Bridge |
| 制造商 | GE Aerospace |
| 库存 | 6218 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 碳化硅（SiC） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.425kA (Tc) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5mOhm @ 475A, 20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 480mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3744nC @ 18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 90000pF @ 600V |
| 功率 - 最大值 | 3.75kW（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | - |
