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TPC8213-H(TE12LQ,M

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPC8213-H(TE12LQ,M 型号,现有大量现货库存。TPC8213-H(TE12LQ,M的封装/规格参数为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPC8213-H(TE12LQ,M型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPC8213-H(TE12LQ,M详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
库存:3905
规格书:
TPC8213-H(TE12LQ,M 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPC8213-H(TE12LQ,M
描述 MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 3905
系列 -
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 625pF @ 10V
功率 - 最大值 450mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)
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