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| APTM100VDA35T3G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | APTM100VDA35T3G |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 库存 | 4198 |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V（1kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 420 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 186nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 390W |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
