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APTC60DDAM70CT1G

现货

翔鸥贸易为您提供Microsemi Corporation设计生产的APTC60DDAM70CT1G 型号,现有大量现货库存。APTC60DDAM70CT1G的封装/规格参数为SP1;同时翔鸥贸易为您提供Microsemi Corporation品牌APTC60DDAM70CT1G型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有APTC60DDAM70CT1G详细使用方法及教程。

制造商:Microsemi Corporation
描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
封装/外壳:SP1
库存:9751
规格书:
APTC60DDAM70CT1G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 APTC60DDAM70CT1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
制造商 Microsemi Corporation
库存 9751
系列 CoolMOS™
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 超级结
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 39A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 70 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 259nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7000pF @ 25V
功率 - 最大值 250W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
供应商器件封装 SP1
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