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| LN100LA-G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | LN100LA-G |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 1200V |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 5069 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-沟道（级联） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3000 欧姆 @ 2mA，2.8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 工作温度 | -25°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-VFLGA |
| 供应商器件封装 | 6-LFGA（3x3） |
