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| TPD3215M 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPD3215M |
| 描述 | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| 制造商 | Transphorm |
| 库存 | 5691 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34 毫欧 @ 30A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2260pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 470W |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 模块 |
