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| FDC6301N_G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDC6301N_G |
| 描述 | MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 1875 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SuperSOT™-6 |
