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| FDG6321C-F169 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDG6321C-F169 |
| 描述 | INTEGRATED CIRCUIT |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 5145 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta），410mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V，62pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
