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| GWS4621L 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | GWS4621L |
| 描述 | MOSFET 2N-CH |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 1887 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.1A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.8 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11nC @ 4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1125pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 4-XFLGA，CSP |
| 供应商器件封装 | 4-WLCSP（1.82x1.82） |
