24小时客户服务: 400-900-9110
24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
| SH8K51GZETB 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SH8K51GZETB |
| 描述 | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 库存 | 9713 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 35V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 58 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.6nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
