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FF6MR12W2M1PB11BPSA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的FF6MR12W2M1PB11BPSA1 型号,现有大量现货库存。FF6MR12W2M1PB11BPSA1的封装/规格参数为模块;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌FF6MR12W2M1PB11BPSA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有FF6MR12W2M1PB11BPSA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET MODULE LOW POWER EASY
封装/外壳:模块
库存:6835
规格书:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 FF6MR12W2M1PB11BPSA1
描述 MOSFET MODULE LOW POWER EASY
制造商 Infineon Technologies
库存 6835
系列 CoolSiC™+
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.63 毫欧 @ 200A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.55V @ 80mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 496nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 14700pF @ 800V
功率 - 最大值 20mW(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 -
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