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| SP8M8FD5TB1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SP8M8FD5TB1 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 库存 | 1964 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta），4.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 520pF @ 10V，850pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
