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| FDS6900AS-G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDS6900AS-G |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 8989 |
| 系列 | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A，8.2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 6.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
