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| DGD0507AFN-7 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DGD0507AFN-7 |
| 描述 | IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 7285 |
| 系列 | - |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 8V ~ 14V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2.4V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A，2A |
| 输入类型 | CMOS/TTL |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 50 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 16ns，18ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 10-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | W-DFN3030-10 |
