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| NCP81075DR2G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NCP81075DR2G |
| 描述 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 1617 |
| 系列 | - |
| 驱动配置 | 高压侧或低压侧 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 8.5V ~ 20V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2.7V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 200 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 8ns，7ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 140°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
