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SIZ980BDT-T1-GE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIZ980BDT-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SIZ980BDT-T1-GE3的封装/规格参数为8-PowerWDFN;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIZ980BDT-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIZ980BDT-T1-GE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
封装/外壳:8-PowerWDFN
库存:8468
规格书:
SIZ980BDT-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIZ980BDT-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
制造商 Vishay Siliconix
库存 8468
系列 TrenchFET® Gen IV
FET 类型 2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23.7A(Ta),54.8A(Tc),54.3A(Ta),197A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.39 毫欧 @ 15A,10V,1.06 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V,79nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 790pF @ 15V,3655pF @ 15V
功率 - 最大值 3.8W(Ta),20W(Tc),5W(Ta),66W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN
供应商器件封装 8-PowerPair®(6x5)
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