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| CSD83325LT 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | CSD83325LT |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 库存 | 6886 |
| 系列 | NexFET™ |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-XFBGA |
| 供应商器件封装 | 6 PicoStar |
